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发布时间:2021-01-12 20:28

  ...2020年度科研项目成果鉴定会。会议邀请了西安电子科技大学、中国科学技术大学、航天科技集团、航天科工集团、兵器集团、中科院合肥物质研究院等高校和科研院所的专家组成鉴定委员会

  ...晶硅生长设备在西安实现一次试产成功。这是由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的。本次制成的单晶硅棒长度为 2.1 米,直径达 300mm,也就是 12 英寸,标志着我国芯片制

  以前在大学的时候也学过示波器,但也只是限于课堂,课下也没去多实踐,课上听得也是云里雾里,似懂非懂的。后来真正从事工作了才感慨对示波器的认知还真的欠缺很大,去网上查

  概述  2020年全国大学生电子设计竞赛基本落下帷幕。 上一篇出了:「电赛分享」电源题,省一等奖!本篇主要是关于B题:单相在线式不间断电源。 此电源系统的大体电路模块可分为控

  ...单的 C语言,知道 51 单片机的基本结构就可以了。一般的大学毕业生都可以了,自学过这 2 门课程的高中生也够条件。设备上,一般是建议购买一个仿真器,例如,的“双功能下载线”就具有

  来自复旦大学微电子学院的消息,该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Around),实现了高驱动电

  ...月17日,在2020年中国(上海)集成电路创新峰会上,清华大学教授、中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军指出,中国在半导体设备和材料上的核心技术,还处于受制于人的状态

  普渡大学的工程师展示了一种通过用称为黑磷(black phosphorus)的片状材料制成晶体管来掩饰晶体管的方法。这种内置的安全措施将防止黑客获得有关电路的相关信息以对其进行反向工程。 反向

  12月17日消息,来自“复旦大学微电子学院”的消息显示,该校周鹏团队针对具有重大需求的3nm至5nm节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2nm的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Aro

  ...的IEEE电子器件会议IEDM上揭晓。会上,来自台积电,加州大学圣地亚哥分校和斯坦福大学的工程师介绍了一种新的制造工艺,该工艺可以更好地控制碳纳米管晶体管。这种控制对于确保在逻辑